CXMT、4F2サーバーメモリーを2026年に投入へ　サムスンは2028年の量産を視野

小型メモリーセルと意欲的な期限

中国最大のメモリーチップメーカー、長鑫存儲技術（CXMT）は、4F2 DRAMアーキテクチャを採用したDDR5レジスタードサーバーメモリーを2026年末までに投入する計画だ。曹侃宇総裁は10月10日、上海で開かれた第4回集積回路・チップレット会議で計画を明らかにし、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンに対抗する同社の取り組みに、具体的な製品と期限を示した。

このアーキテクチャでは、個々のメモリーセルが占める面積を、主流の6F2設計から4F2へ縮小する。同じ最小加工寸法で比べると、理論上、セル面積は3分の1小さくなる。チップにより多くのメモリーを搭載できる可能性があるが、完成品で得られる効果は回路や製造結果、その他の設計要件によって異なる。

CXMTの期限は、サムスンが量産目標としていると報じられた2028年より、およそ2年早い。ただし、これは製造面で2年先行している証拠ではない。製品の投入と、安定して大量生産することは別の節目だ。CXMTは、計画中のサーバーメモリーについて、詳細な仕様や正確な発売日、歩留まりを明らかにしていない。

今回の発表が重要なのは、中国のDRAMメーカーがすでに存在感を確立している消費者向け機器ではなく、企業向けサーバーを対象としているためだ。サーバー顧客が求めるのは長期間にわたる安定動作であり、商業面で受け入れられるかどうかは、小型セルを実証することとは別の試験となる。

上海で曹氏が発表した内容

英語報道ではChao Kanyuとも表記される曹侃宇氏は、CXMTの新アーキテクチャを最初に応用する製品はサーバーメモリーになると述べた。同氏は上海の会議で、投入時期について次のように説明した。

4F2 DRAM構造を採用した次世代DDR5 RDIMMサーバーメモリーを年末までに発売する

RDIMMはレジスタード・デュアル・インライン・メモリー・モジュールの略称だ。これらのモジュールはレジスタを使ってコマンド信号とアドレス信号をバッファリングし、サーバーが高負荷のメモリー構成に対応できるようにする。DDR5はメモリーの世代を示し、4F2は基盤となるセルの配置を表す。つまり今回の発表は、DDR5規格を置き換えるものではなく、サーバーメモリーとして定着している製品カテゴリーの内部に使われるチップの新しい製造方法に関するものだ。

CXMTは、主要な製造工程を再設計し、独自の垂直ゲート・オール・アラウンド・トランジスター（VSG）を開発したと述べた。こうした説明は、提案されたセル配置にとどまらない取り組みを示唆する。ただし、この工程で使用可能なチップがどれだけ生産できるのか、どの程度の速さで生産を拡大できるのか、サーバー顧客による認定が完了しているのかは分からない。

期限の表現は報道によって異なる。一部は年末ごろに量産を始める計画としている一方、曹氏の発言として引用された内容が約束しているのは製品の発売だ。製造量が公表されていない以上、CXMTと競合他社を比較するうえでは、より限定的な発売の約束を基準にするのが妥当だ。

4F2がDRAMチップにもたらす変化

DRAMは、データを保持するため定期的なリフレッシュが必要なセルに情報を保存する。セルサイズの表記で使われるFは最小加工寸法を表し、一般に最小線幅と説明される。4F2セルの面積は2F×2Fに相当するのに対し、6F2セルはFの正方形6個分となる。

この計算から、技術の意欲的な目標が分かる。面積を6単位から4単位にすれば、セルの占有面積は約33％縮小する。セル面積だけを考えれば、同じ空間に搭載できるセル数は50％増える。6を4で割ると1.5になるためだ。ただし、いずれの数字も、CXMTの完成モジュールの容量や速度がその分向上するという約束ではない。

実際のチップには、周辺回路や配線、製造上の制約によって決まるスペースも必要だ。メモリーの速度や消費電力、信頼性は、一定面積に搭載できるセル数だけで決まるわけではない。CXMTは、現在のサーバーDRAMと製品特性を比較できる測定値を公表していない。

提案されたVSGトランジスターでは、チャネルを垂直に配置し、その周囲をゲートで囲む。ゲートはトランジスターを流れる電流を制御する。CXMTによれば、この構造は不要な電流の漏れを抑え、メモリー密度を高め、電力効率の改善につながる可能性がある。

CXMTは、メモリーセルと周辺ロジックを個別に最適化するため、ハイブリッド接合も検討している。ハイブリッド接合は、非常に微細な電気接続を通じて半導体構造を接合する技術だ。メモリーアレイとそれを支える回路の設計自由度を高めることが狙いとされるが、この手法が最初のDDR5 RDIMM製品に採用されるかどうかは、報道からは確認できない。

サムスンとSKハイニックスにも独自の計画

サムスン電子とSKハイニックスも4F2 DRAMを研究しているが、CXMTの発表に関する報道では、どちらも量産について確定的な約束はしていない。SKハイニックスは2025年、関連する技術ロードマップを公表した。サムスンは、4F2を採用する10a DRAMの開発を2026年に完了し、2027年に品質試験を行い、2028年に量産を始める目標だと報じられている。

サムスンの日程は報道された開発目標であり、確定した保証ではない。それでも、CXMTが2026年の投入を計画することに注目が集まる理由は説明できる。中国の同社は、より大きな競合企業の量産時期として現在報じられている時期より前に、商用製品を投入しようとしている。

上海交通大学の研究者、田豊氏は、メモリー大手3社はいずれも4F2または類似する3D DRAM技術のロードマップを持つものの、大規模な商用化には至っていないと述べた。この見方は、すでにどこか1社が決定的な先行を実証した市場ではなく、競争が始まったばかりの分野だという認識を裏付ける。

報じられている主な節目は次の通りだ。

• 2016年：CXMTによると、同社の設立と同時に4F2の研究を開始。
• 2025年：SKハイニックスが4F2技術に関連するロードマップを公表。
• 2026年8月：CXMTによると、LPDDR6モバイルメモリーの量産を開始。
• 2026年9月：CXMTによると、第5世代DRAM製造プラットフォームが量産に入る。
• 2026年10月10日：曹氏が上海でサーバーメモリー計画を発表。
• 2026年末：CXMTが4F2採用のDDR5 RDIMM投入を目指す。
• 2027年と2028年：サムスンは品質試験を行った後、量産を計画していると報じられている。

競争の行方を左右する歩留まり

製造面での中心的な課題は歩留まりだ。これは、ウエハー上で生産されたチップのうち、要求仕様を満たすものの割合を指す。小型セルは理論上魅力的でも、検査で不合格になるチップが多すぎれば製造コストは高くなる。トランジスターの形状や製造工程を変えるには、実用的な歩留まりを達成できるよう工程を整える必要がある。

メモリー不足の局面では、とりわけ重要な問題だ。新工程を導入するメーカーは、技術によって密度や性能が最終的に向上するとしても、製造上の問題を解決する間、使用可能な生産量を失うリスクがある。そのため既存メーカーには、移行時期を現在の製品需要と照らして検討する理由がある。

SKハイニックスの元最高技術責任者（CTO）、金鎮国氏は、目先の商業上の優先事項として生産能力を挙げた。

現在のメモリー不足が続くと予想されるなか、市場は技術力よりも生産能力が重視される局面に移りつつある

金氏は、新工程の導入に伴うコストについても警告した。

新技術の導入時に生じる生産損失は、避けられないほど大きくなる

同氏の発言は、発表が早いからといって競争上の立場が必ずしも強いとは限らない理由を示している。信頼性の高いメモリーを大量生産できる企業は、製造が依然として難しい高密度設計を持つ競合企業より、顧客の需要に効果的に応えられる可能性がある。

CXMTが報告したG5プラットフォームの9月の生産開始は、別の製造上の節目に向けた進展を示す。しかし、それだけで発表済みの4F2サーバー製品が同程度の準備段階に達したと証明するものではない。CXMTは、そうした生産に関する説明の関係を判断できるほど詳細に明らかにしていない。

サーバー顧客は別の試金石

サーバーDRAMでは、サムスン、SKハイニックス、マイクロンが主導的な地位を占めてきた一方、CXMTは消費者向け電子機器により重点を置いてきた。CXMTによると、2026年上半期にはサーバー事業の貢献が拡大したが、報道には売上高や同事業の市場シェアを示す数字はない。

つまり、サーバー市場に参入することと、そこで大きな需要を獲得することは区別する必要がある。顧客が必要としているのは、継続的な負荷がかかる環境で自社システムと安定して動作するメモリーだ。チップ密度に加え、製品の認定、安定した供給、一貫した性能が重要になる。

今回の発表は、先進的なコンピューティングプロセッサーと組み合わせて広く使われる高帯域幅メモリー（HBM）で、画期的な進展があったことを示すものでもない。DDR5 RDIMMとHBMは異なる役割を担うメモリーだ。提案されたサーバー製品の進展を、報じられているCXMTのHBM技術の遅れを埋めた証拠とみなすことはできない。

従来型DRAMにおける中国と韓国の技術差については、推計に幅がある。1～2年とする報道もあれば、2～3年とするものもある。HBMの差は少なくとも3年とする見方が大勢だ。これらは業界の評価であり、開示された比較可能な製品試験から導かれた測定値ではない。

特許と製造装置が競争の行方を左右

CXMTは、4F2関連の特許ファミリーを300件以上公開し、2016年からこのアーキテクチャを研究していると述べている。特許ファミリーとは、発明を複数の出願や法域で保護する関連出願のまとまりを指す。この件数は、主張されている知的財産が相当数あることを示すが、製造上の進歩が300件別々に実証されたことと同じではない。

曹氏は、CXMTの関連特許保有数が国内外の競合他社を上回るとも主張した。この順位を検証できる比較可能な特許データは示されていない。商業上より重要なのは、設計を製造できるか、製品が顧客の要件を満たすか、そして大規模に供給できるかだ。

製造装置へのアクセスも制約となる。報道によると、CXMTはASMLの極端紫外線（EUV）露光装置を使用できない。EUVは極めて微細なパターンの形成に役立つ装置であり、利用できないことは、CXMTが商業的に実用的な歩留まりを達成する道筋に不確実性を加えている。

将来の3D DRAM製造ではEUVの影響が小さくなるとの見方を示す業界関係者もいる。しかし、それはさらに先のアーキテクチャに関する予測であり、発表された製品が直面する製造上の課題をなくすものではない。また、4F2セルに垂直トランジスターを採用することは、DRAMセルを複数層積層することと自動的に同じではない。

韓国メーカーが懸念を強める背景には、中国の他の技術開発もある。華為技術（ファーウェイ）はロジック・フォールディング技術を打ち出しており、報道によればサムスンは長江存儲（YMTC）のXtacking接合技術の使用にロイヤルティーを支払っている。これらは異なる技術と企業に関する話であり、CXMTのサーバーメモリーに関する主張を裏付けるものではない。

10月5日に発表されたと報じられたファーウェイとクアルコムの特許ライセンス契約は、5G、コンピューティング、人工知能、ネットワークを対象とする。これは業界における中国の知的財産の役割拡大を示すものだが、DRAMに関する契約ではなく、4F2の生産準備が整っている証拠でもない。

期限までに実証が必要なこと

CXMTの資金面での拡大も、同社が開発を加速する背景を示している。報道によると、7月の株式売却額は約86億ドル（約666億1,000万元）で、初日の取引では株価が466％上昇した。これらの数字が示すのは多額の資金調達と投資家の関心であり、計画中のメモリー製品の技術的な裏付けではない。

既存メーカーの株価に対する発表直後の反応は小幅だった。報じられた取引では、マイクロンは時間外取引で約1％下落し、SKハイニックスは韓国市場で0.8％下落した。半導体株全体の売りや人工知能向け支出への懸念もあったため、こうした動きをCXMTの発表だけに帰することはできない。

次に示された期限は2026年末だ。直接比較が可能になるには、CXMTは発売日だけでなく、モジュールの仕様、生産規模、顧客による認定、安定動作の実証も公表する必要がある。そうした情報によって、発表が商業面で何を意味するのかが明確になる。

現時点でCXMTは、サムスンの量産計画として報じられている時期より早い製品投入目標を掲げ、具体的なアーキテクチャも説明している。それがサーバーメモリーで優位につながるかどうかは、カレンダーではなく、使用可能な生産量と顧客への普及にかかっている。

要点

• CXMTは、4F2 DRAMを採用したDDR5レジスタードサーバーメモリーを2026年末までに投入する計画だ。
• 同じ最小加工寸法の場合、4F2セルは6F2セルより理論上3分の1小さい。
• CXMTによると、垂直ゲート・オール・アラウンド・トランジスターは漏れ電流を減らし、密度の向上を支える。
• サムスンは2028年の量産を目標としていると報じられ、SKハイニックスは2025年に関連ロードマップを公表した。
• CXMTは、詳細な製品仕様や歩留まり、正確な発売日を明らかにしていない。
• 発売が早くても、それだけで大量生産やサーバー顧客への普及で優位に立ったとはいえない。