小型メモリーセルが世界的な売りを誘う
中国の長鑫存儲技術（CXMT）は、メモリー密度を約30%高める可能性のあるアーキテクチャーを採用した新型サーバー向けメモリー製品を、2026年末までに投入する計画だ。この発表を受け、既存の半導体メーカーの株価は急落した。ただし、この設計を信頼性の高い量産につなげるには、なお一段の取り組みが必要となる。
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CXMTの曹侃宇総裁は10月10日、上海で開かれた業界会議で開発の進捗を発表した。同社が進めているのは、メモリーセル1個当たりの占有面積を減らす「4F²」と呼ばれる設計だ。新製品はデータセンターのサーバーを対象としており、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロン・テクノロジーとの競争がより直接的になる。
10月13日、SKハイニックス株は約10%安で引け、サムスン株も7.4%下落した。両社の株価は8月以来の安値を付けた。韓国総合株価指数（KOSPI）は5.5%下落した。マイクロン株は月曜日に約3.9%下げた後、火曜日の取引でも3.62%下落した。
売りは半導体製造装置メーカーやストレージ企業、その他のテクノロジー株にも広がった。投資家は、人工知能（AI）向けコンピューティング需要の恩恵を受けてきた企業に、中国メーカーがどれほど早く挑めるようになるかを見極め直していた。
CXMTが当面狙うのは、一般的なサーバー向けメモリーだ。高性能AIプロセッサーと組み合わせて使われる専用メモリー、高帯域幅メモリー（HBM）では、既存大手が依然として優位に立つ。CXMTにとって商業化の試金石となるのは、競争力のあるコストで、十分な量の信頼性の高いチップを生産できるかどうかだ。
4F²をわかりやすく説明すると
DRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）は、コンピューターがその時点で使用している情報を保持する。サーバーは、プロセッサーが処理を実行する間、データを近くに置いておくための作業用メモリーを必要とする。各チップには、膨大な数の微小なメモリーセルが含まれている。
業界で一般的な6F²レイアウトでは、各セルの面積は最小寸法を表すFの2乗の6倍となる。4F²レイアウトでは、同じ2乗の4倍に面積が縮小する。最小寸法が変わらなければ、セル自体の占有面積は約3分の1小さくなる。
セルの小型化により、1枚のチップにより多くの情報を詰め込める可能性がある。製品全体で得られる効果は、ほかの回路が占める面積や製造方法にも左右される。モーニングスターのアナリスト、兪景傑氏は、CXMTのアーキテクチャーが商業化に成功すれば、メモリー密度を30%高められる可能性があると試算している。
コンサルティング会社CICの副所長、張暁露氏は、ウェハー1枚当たりの生産ビット数が30～50%増える可能性がある一方、個々のセル面積は約33%縮小すると推計する。これらの推計は設計上の潜在力を示すもので、確立した量産体制で実測された生産量を示すものではない。
サムスンとSKハイニックスも4F²設計を研究している。SKハイニックスは2025年に開発ロードマップを公表しており、CXMTが投入を計画する時期は、既存サプライヤーの技術的優位を見極めようとする投資家にとって、とりわけ注目される。
CXMTが製造工程をどう変えるのか
曹氏は、メモリーセルを制御するトランジスターの配置を変える「Vertical Surrounding Gate（VSG）」と呼ばれる手法を説明した。同社は、この構造によって電流漏れなど、セルの小型化に伴って対処が難しくなる問題を減らせると見込んでいる。
電流漏れとは、流れるべきでない箇所に電流が流出することだ。メモリーチップでは、電流を制御することで、無駄な電力を抑えながら、セルが情報を確実に保持できるようにする。設計を小型化しても、セルが安定して動作しなければ意味がない。
CXMTはまた、メモリーセルと周辺回路を別々のシリコンウェハー上で製造し、その後ハイブリッドボンディングで接合する計画だ。周辺回路は、セルの選択や情報の出し入れなどを担う。ハイブリッドボンディングでは、極めて精密な電気的・物理的接合によって、別々に製造した部品をつなぐ。
曹氏は、製造工程を分けることが同社の手法の要だと述べた。張氏によると、VSGとウェハーレベルでの接合を組み合わせれば、極端紫外線（EUV）リソグラフィーに頼らずに密度を高められる可能性がある。EUVは、微細なチップパターンを形成するために使われる先端技術だ。
製品投入後には長期の量産試験が続く
CXMTは、2026年末までに新アーキテクチャーを採用したDDR5 RDIMMを投入する見通しだ。DDR5はコンピューター用メモリーの世代を示し、RDIMMはサーバーで一般的に使われるメモリーモジュールを指す。この製品は、顧客がすでに運用している機器やシステムで安定して動作しなければならない。
製造したチップのうち、販売できる水準で動作するものの割合を示す歩留まりは、依然として不透明だ。曹氏は歩留まりの詳細や、大規模な商業出荷の確定スケジュールを明らかにしなかった。不良チップが多く発生する工程は、基礎となる設計に期待が持てても、コスト高になりかねない。
モーニングスターのアナリスト、兪景傑氏は、競争上の機会と製造上の課題の両方を指摘した。
DRAM生産で4F²アーキテクチャーを成功裏に、かつ競合より早く導入できれば、CXMTの競争力は大幅に高まる
兪氏はまた、製品発表から歩留まりが採算に見合う水準での商業化までには、大きな時間差が生じるとみている。量産で均一な結果を維持する難しさが背景にある。
張氏によると、サーバーメモリーの検証には通常18～24カ月かかる。その間、顧客は互換性、信頼性、動作に関する厳しい要件を製品が満たしているかを確認する。そのため、製品投入は幅広い導入に先立つ、さらなる試験と採用の段階の始まりとなる。
なぜ市場の反応がメモリーメーカー以外にも広がったのか
日本のソフトバンクグループは8.5%安、半導体製造装置メーカーの東京エレクトロンは7.2%安、検査装置メーカーのアドバンテストは2.9%安となった。日経平均株価は1.8%下落し、CXMTと直接競合する企業以外にも売りが広がったことを示した。
欧州株も下落した。ASMLは3.3%安、STマイクロエレクトロニクスとインフィニオンはそれぞれ約5%安となった。ストレージ企業のサンディスク、シーゲイト、ウエスタンデジタルも値を下げた。CXMT株も火曜日、上海で2.8%安で引けた。
この売りは、ナスダック総合指数が0.44%下落した米国市場の、すでに軟調だった月曜日の取引に続くものだった。ユニオン・バンケール・プリヴェのシニア株式アドバイザー、凌偉森氏は、投資家は好調だったAI関連株、とりわけメモリー株の利益を確定していると述べた。
レイリアント・グローバル・アドバイザーズのチーフ市場ストラテジスト、フィリップ・ウール氏は、売りの規模は目先の競争上の脅威に比べて過大だとみた。CXMTが新設計を大量生産するには、なお作業が必要だと指摘した。
翌日の取引では、SKハイニックスの下落幅は縮小し、10月14日は1.66%安となった。投資家は、競争環境が長期的に変化する可能性と、チップの認定や生産拡大に要する、はるかに時間のかかる実務的なプロセスを見比べていた。
HBMが別の競争である理由
HBMはメモリーとプロセッサーの間で大量のデータを高速にやりとりする。高性能プロセッサーが休止状態にならないよう、絶えず情報を供給する必要があるため、AIシステムで特に重宝される。製造には高度な技術を要する工程のほか、積層やパッケージングが必要となる。
CXMTが投入を計画するDDR5サーバー製品は、データセンターが必要とするメモリーの別の部分を担う。一般的なサーバーメモリーはシステム全体を支える一方、HBMはエヌビディアのAIアクセラレーターのような高負荷プロセッサーに、特に高速なアクセスを提供する。
ウール氏はHBMにおける既存大手の優位について、次のように述べた。
さらに重要なのは、ここではHBMについて話しているわけですらないということだ。韓国の半導体メーカーは今も間違いなくこの分野を支配しており、当面、CXMTなどから脅威を受ける可能性はほとんどない
張氏によると、海外の大手メーカーはHBM3eとHBM4に生産能力を集中させている一方、一般的なサーバー向けDDR5は供給が逼迫している。このため、とりわけ国内調達先を求める中国の顧客にとって、信頼できる汎用サーバーメモリーの新たな供給元には参入の余地がある。
凌氏も、長期的な競争上の脅威と現在の製造能力には違いがあるとみている。中国のメモリー企業は時間の経過とともに需給バランスに影響を及ぼす可能性がある一方、短期的には技術面の課題に直面し続けるという。
拡大する市場シェアと相次ぐ開発計画
カウンターポイント・リサーチの推計によると、世界のDRAM売上高に占めるCXMTのシェアは、2025年第2四半期の4%から2026年第2四半期には10%に上昇し、世界4位のDRAMサプライヤーとなった。HSBCの分析でもシェアは約10%とされ、1年前の約4%から拡大した。
これは6ポイントの上昇、もしくは以前のシェアの2.5倍に当たる。CXMTは次世代アーキテクチャーの開発を進める一方で、拡大する商業基盤を築いている。同社はまた、サムスンやSKハイニックスとおおむね同じ時期に、スマートフォン向けLPDDR6メモリーの開発を進めている。
CXMTが最近発表した内容からは、複数のプロジェクトが並行して進んでいることがうかがえる。
- 2026年9月20日：第5世代DRAMプロセスプラットフォーム「G5」での量産開始を発表し、大容量LPDDR5Xメモリーを投入。
- 2026年9月28日：総額241億元の研究開発プロジェクトと、108億元を投じる第2期試験拠点の計画を発表。
- 2026年10月10日：曹氏が上海で、DRAMデバイス、4F²アーキテクチャー、ハイブリッドボンディングの進捗を発表。
- 2026年末まで：新型サーバーメモリー製品の投入を目指す。
G5プラットフォームではパターン形成に4回の露光を使い、メモリーアレイ内の間隔を示すアクティブ領域のハーフピッチは11.95ナノメートルに達する。計画中の2つの投資プロジェクトは総額349億元で、プロセス開発、パッケージング、検査、モジュール組み立てを対象とする。
輸出規制が事業拡大の道筋を左右
2016年に設立され、合肥に本社を置くCXMTは、中国の大規模な国内エレクトロニクス市場の恩恵を受けている。一方、ASMLの最先端EUVシステムに関する制限など、輸出規制によって先端製造装置へのアクセスは制約されている。
同社が提案するアーキテクチャーは、デバイスの配置や、別々に製造したウェハーの接合をより重視する。張氏によると、EUVを使わずに密度を高められる可能性がある一方、精密なエッチング、成膜、接合、研磨装置の需要を生み出す可能性もある。
競合企業は異なる装置と生産のスケジュールで投資を進めている。日本は、先端DRAMの開発・生産を支援するマイクロンの広島工場拡張に最大5,360億円を拠出することを決めた。早ければ2028年の初回出荷を目指す同プロジェクトには、EUV装置などの製造装置が含まれる。
競争には法的な緊張も伴う。韓国検察は、CXMTに渡ったとされる製造ノウハウをめぐり、サムスンの技術情報が流出した疑いで10人を起訴した。検察は、流出した情報がDRAMの生産加速に役立ち、HBMの開発も後押ししたと主張している。この疑惑は刑事手続きで審理中だ。
顧客獲得と企業評価が賭け金を高める
CXMTは7月に上海証券取引所のハイテク新興企業向け市場「科創板」に上場し、初値は約466%急騰した。一時は中国本土上場企業で時価総額が最大となった。その後、株価は初値の49元を約4%下回る水準となった。
同社の企業価値は約3兆4,600億元と評価され、テンセントの3兆8,700億元に迫った。この数字はCXMTの企業価値がテンセントの約89%に相当することを示し、設立からわずか10年のメモリーメーカーに投資家が寄せる期待の大きさを物語っている。
商業面でどこまで浸透できるかは、顧客が採用するかどうかにかかっている。アップルは中国で販売する機器向けにCXMT製DRAMを試験しており、より幅広く採用するため米政府に許可を求めている。供給契約の締結や、より広範な承認が得られたとの発表はない。
シティのアナリストは、米国の規制が同国市場への直接販売を制限していても、欧州などの地域でデータセンター向けに販売すれば、マイクロンに影響を及ぼす可能性があると指摘している。別の地域の顧客を通じても、サプライヤーは競争圧力をかけることができる。どのメーカーが受注するか、また設定できる価格が変わるためだ。
サーバー運営企業にとって現実的な期待は、CXMTが十分な量の信頼できる製品を供給できれば、汎用メモリーの新たな調達先が加わることだ。既存メーカーにとっては、汎用DRAMとより専門性の高いメモリーの両方で競争しながら、技術的優位を守ることが課題となる。次の節目は、計画されている製品投入、顧客による検証、安定生産だ。
要点
- CXMTは、より高密度な4F²アーキテクチャーを採用したサーバーメモリーを2026年末までに投入することを目指す。
- 10月13日、SKハイニックスは約10%、サムスンは7.4%下落し、世界のテクノロジー株に売りが広がった。
- 新設計は、垂直型のトランジスター構造と、別々に製造したウェハーを接合するハイブリッドボンディングを組み合わせる。
- アナリストは密度向上の可能性を指摘する一方、商業化の進展は歩留まりと顧客認定に左右されるとみている。
- カウンターポイントの推計では、CXMTのDRAM売上高シェアは2025年第2四半期から2026年第2四半期にかけて4%から10%に上昇した。
- 計画中の製品は一般的なサーバーメモリーを対象とし、AIシステム向けHBMでは既存大手が引き続き優位に立つ。
