YMTCが市場をリードする中、サムスンとSKハイニックスは中国のNAND工場を増強

2大工場、技術とライセンスの試練に直面

計画に詳しい関係者によると、サムスン電子は中国・西安工場を286層NANDメモリーの生産に転換し、月産を2026年12月に5,000枚、2027年12月までに4万枚とすることを目指している。SKハイニックスは大連工場の生産品を192層から少なくとも240層へ引き上げる計画を進めている。中国の競合、長江存儲科技（YMTC）が市場シェアを拡大している。

2026年10月21日に明らかになった両社の計画は、韓国企業のストレージ事業の中核を担う工場に関わる。西安工場だけで、サムスンの世界全体のNAND生産量の約40％を占める。両社は米政府と協議しながら作業を進めていると認めているが、詳細な生産スケジュールは公表していない。

工場が米国の輸出規制対象となる製造装置に依存しているため、米国の許可が計画の重要な条件となる。ワシントンは両社を適用除外制度から年次の装置輸出ライセンス制度に移行させた一方、中国にある既存工場の稼働は認めるが、技術更新や生産能力の拡大は承認しないという方針を示している。

商業面での圧力はすでに表れている。市場調査会社オムディアによると、2026年第2四半期の中国NAND市場におけるYMTCのシェアは38.5％で、サムスンの33.5％、SKハイニックスの17％を上回った。韓国勢は、中国の先端半導体製造へのアクセスを制限することを目的とした規則に対応しながら、重要な生産拠点の近代化を図っている。

積層数の増加がストレージにもたらすもの

NANDフラッシュメモリーは、機器の電源が切れても情報を保持する。スマートフォンやコンピューター内で写真、アプリ、ファイルを保存するほか、人工知能（AI）データセンターで使われるソリッドステートドライブにも搭載される。AIシステムは、大量の情報を処理に使える状態に保つため、こうしたストレージを必要とする。

メーカーはメモリーセルを垂直に積み重ね、チップにより多くのデータを収める。層数を増やすことで記憶密度を高め、データ単位当たりの保存コストを下げられる。ウエハーは、多数のチップを製造し、切り分けてパッケージ化する前に使う薄い円盤状の基板だ。

工場の稼働に詳しい関係者によると、サムスンの西安工場は現在、約200層のNANDを生産している。286層への移行により、中国国外でサムスンがすでに販売している技術に近づく。SKハイニックスが192層から240層へ移行すれば、層数は25％増える。

生産量とストレージの出力量は関連するものの、異なる指標だ。チップ1個当たりのデータ容量が増えれば、同程度の枚数のウエハーを処理しながら、より多くのストレージを生産できる。そのため、工場の生産能力は据え置くと企業が説明していても、旧製品を高密度の新製品に切り替えることは商業上重要となる。

サムスンの「Monami」計画、8倍の増産を目指す

サムスンの転換計画は社内で「Monami」と呼ばれる。名称はフランス語の「私の友人」に由来する。このプロジェクトでは、第9世代のV9 NAND技術（286層）を中国北西部の西安工場に導入する。

報じられた計画では、アップグレード後の製品の月産を2026年12月の5,000枚から、2027年12月には4万枚に増やす。工場の製品構成を切り替えながら、V9の生産ペースを1年間で8倍にする計画だ。

サムスンは、作業は米国の輸出規制に準拠していると述べた。同社は声明で、今回の更新は顧客需要への対応であり、既存の工場規模は維持すると説明した。

今回の更新は、米国を含む世界の顧客からの需要拡大に応えることを目的としています。生産能力の拡大や新たな製造施設の建設は行いません。

サムスンの世界全体のNAND生産に占める西安工場の割合を踏まえると、この転換は中国以外にも影響する。同社のNAND生産量のおよそ5分の2を担う工場を更新すれば、複数の市場の顧客に高密度ストレージを供給しやすくなる可能性がある。

大連工場、中国での更新と米国生産の可能性を結ぶ

SKハイニックスは中国東北部の大連工場に装置を設置しており、作業について米政府と協議していると明らかにした。計画に詳しい関係者によると、同社は192層製品から240層以上のNANDへの切り替えを検討している。

事情に詳しい関係者1人は、同社は大連で最大240層のチップを製造する許可を得ていると述べた。両社が計画するアップグレードに向けた装置承認の全容は、公表されていない。

SKハイニックスは2021年、インテルのNAND事業買収を通じて大連の拠点を取得した。買収した事業は現在「Solidigm」と呼ばれ、大連を唯一のNANDチップ製造拠点としている。同事業は米国での新規株式公開（IPO）に向け準備を進めている。

同社は大連で300層を超えるチップの研究開発を行うため、米国の許可を求める可能性もある。この研究は、SKハイニックスがトランプ政権と協議している米国内の新たなNAND工場での生産に向け、技術を準備する一助となり得る。

したがって大連工場は、中国の既存生産拠点の強化と、米国での製造を支え得る技術開発という、関連する2つの計画に位置付けられる。研究許可の申請や米国工場をめぐる協議は、まだ検討段階であり、投資が決定したわけではない。

米国のライセンス規則はどう変わったか

米議会調査局（CRS）は2025年9月19日付の半導体輸出規制に関する報告書で、規制の変更を記録している。報告書によると、米国は2025年9月、サムスンとSKハイニックスの中国国内の指定施設を認定エンドユーザー（VEU）制度の対象から外し、この変更は2025年12月31日に発効した。

一般にVEUと呼ばれるこの制度では、指定施設は個別の輸出ライセンスなしで、一定の規制対象品目を受け取ることができた。両社の中国工場は、一部の装置出荷に対する適用除外の恩恵を受けていた。CRSの報告書は、2024年に規制が拡大し、中国で事業を行う韓国企業にも及んだ経緯も説明している。

この決定に詳しい関係者によると、ワシントンはその後、2026年の暦年を対象に装置の年次輸出ライセンスを付与した。承認は無制限の拡張ではなく、操業の継続と保守を支えるものと説明された。チップ製造で材料を除去する米国製エッチング装置などは、現在、明示的な許可の下で移動している。

米商務省産業安全保障局（BIS）は、2025年の方針を引き続き示している。既存工場の操業を支えるライセンスは承認する一方、生産能力の拡大や技術更新は認めないというものだ。サムスンが作業は規則に準拠していると説明したことで、個別の承認条件が今回の転換計画にとって特に重要となっている。

工場の変更をめぐる日程

今回のアップグレードに先立ち、数年にわたり所有関係や装置規制、投資が変化してきた。次の生産目標は、サムスンが掲げる2026年12月の目標と、2027年12月に予定する大幅な増産だ。

• 2021年：SKハイニックスがインテルのNAND事業買収を通じて大連工場を取得。
• 2022年：米国が、中国向けの一部先端半導体および半導体製造装置の輸出規制を導入。
• 2024年：ワシントンが規制を拡大し、中国で事業を行う韓国半導体企業にも影響する措置を実施。
• 2025年9月：サムスンとSKハイニックスの指定施設がVEU制度の対象から除外され、2025年12月31日に発効。
• 2026年：両社の中国事業を支える装置出荷に年次ライセンスが適用。
• 2026年12月：サムスンは西安で286層のV9 NANDを月産5,000枚とする目標。
• 2027年12月：サムスンは西安で同製品を月産4万枚とする目標。

年次ライセンス制度の下では、工場のスケジュールとあわせて装置へのアクセスも考慮する必要がある。サムスンが報告した増産計画は2027年まで続き、2026年の承認対象期間を超える。

中国のNAND市場でYMTCが先行

オムディアのデータによると、韓国の競合他社がシェアを落とす一方で、YMTCは勢いを増している。2026年第2四半期の中国NAND市場でYMTCは38.5％を占め、2025年通年の28％から上昇した。サムスンは36％から33.5％へ、SKハイニックスは20％から17％へ低下した。

この比較は四半期と通年を並べたものだが、競争環境の変化の大きさを示している。YMTCの直近のシェアは2025年の数値を10.5ポイント上回った。第2四半期のサムスンとSKハイニックスの合計シェアは50.5％で、2025年の合計56％から低下した。

オムディアのデータによると、YMTCは世界のNAND出荷量でも14％を占め、3位に浮上した。この世界出荷量の指標は中国市場の数値とは異なるが、中国では同社がサムスンを5ポイント上回り、首位に立っている。

YMTCの製品に詳しい関係者によると、同社の製品群は主に160層と232層のNANDで構成され、294層製品も少量ある。同社は300層を超える製品も計画している。こうした進展により、サムスンとSKハイニックスには中国工場の旧技術を置き換える具体的な理由が生まれている。

中国工場の外でも続く技術競争

サムスンはすでに中国国外で最大286層のNANDを販売しており、2026年8月には400層を超える試作品を披露した。SKハイニックスは最大321層の製品を販売している。計画中の中国工場のアップグレードは、両社の製造ネットワーク内にある技術格差を縮める可能性がある。

サムスンの西安プロジェクトにより、同工場の層数は、同社が他地域で販売する現行製品と同水準になる。SKハイニックスが大連で少なくとも240層へ移行すれば、現在の192層から前進する。同社が検討する300層超の研究は、さらに先の世代を見据えたものだ。

中国のメモリー開発はYMTC以外でも進んでいる。長鑫存儲技術（CXMT）は最近、新たなトランジスター構造を発表し、競合他社を上回る可能性があると述べた。CXMTは中国国内のメモリー技術の構築に向けた取り組みの一翼を担う。一方、サムスンとSKハイニックスを取り巻く市場の変化を直接引き起こしているNANDの競合はYMTCだ。

CRSの報告書は、先端半導体の製造へのアクセスを制限し、軍事利用を支え得る能力の進展を遅らせることなど、米国の規制が経済・国家安全保障上の目標に資すると説明している。また、一部の関係者の間には、規制が中国の国内技術開発を促す可能性があるという懸念も記録している。両社の工場に関する判断は、こうした政策目標と製品の競争力を保つ商業上の必要性との間にある。

AI需要で既存工場の価値が高まる

アリババ、バイトダンス、テンセントは、合計350億ドル相当のエヌビディア製品を発注したと報じられている。同社は中国の需要に応えるのに苦慮している。こうした購入は計算処理に使うプロセッサーに関するものだが、サムスンとSKハイニックスの中国でのアップグレードは、コンピューティングシステムに必要なストレージに関わる。いずれもAIインフラへの大規模な投資を示している。

工場での作業は、投資の大幅な増加を受けて進んでいる。両社は2025年、中国の3工場に合計1兆4,871億ウォンを投じた。3月に報じられた中国投資の拡大の詳細によると、サムスンは西安への投資を67.5％増やし、SKハイニックスは無錫への投資を2倍超に増やしたほか、大連への投資も52％増加させた。

無錫では、システム稼働中に情報を保持するDRAMを生産する。一方、西安と大連では、データを長期保存するNANDを製造している。先行投資は単一製品ではなく、メモリーのサプライチェーンの異なる部分を対象としていた。

新工場の建設、装置の設置、本格稼働には通常3～5年かかる。中国の既存施設は、装置の搬入や生産転換が進めば、より早く需要に応えられる確立した製造基盤となる。ストレージを求める顧客にとって重要なのは、こうした工場が新製品をどれだけ早く供給できるか、またウエハー1枚からどれだけのストレージを生産できるかだ。

要点

• サムスンは西安工場を286層のV9 NAND生産に転換する計画で、月産目標は2026年12月に5,000枚、2027年12月に4万枚と報じられている。
• SKハイニックスは大連工場を192層から240層以上へ引き上げる計画で、300層を超える製品の研究許可も求める可能性がある。
• 両社はワシントンと協議していると説明。サムスンは、計画は米国の規則に準拠し、工場の生産能力は拡大しないとしている。
• 2025年12月31日以降、従来の適用除外に代わり、米国の装置輸出に年次ライセンスが必要となった。
• 2026年第2四半期の中国NAND市場でYMTCは38.5％を占め、サムスンの33.5％、SKハイニックスの17％を上回った。
• AI向けストレージ需要と中国勢の競争力向上を受け、韓国企業の事業を支える工場の近代化が急務となっている。