中国の半導体製造装置の国産化が目標を上回り、世界の技術環境の変化を示す

読了時間：約7分

最終更新: January 14, 2026 • 15:53 UTC

国内製造装置の導入が前例のない成長を記録

中国の半導体産業は、自給自足を目指す取り組みの中で注目すべき節目を達成した。2025年末までに、国内開発の半導体製造装置の比率は35%に急上昇し、2024年の25%から大幅に増加した。この数字は北京市の目標である30%を上回っただけでなく、重要な製造工程で急速な進歩が達成されたことも示した。現地製装置の導入はエッチングと薄膜形成で特に強く、ノーラ・テクノロジー・グループや中微半導体設備（AMEC）などの企業の技術進歩により、使用率は40%を超えた。

国内製造装置の導入が前例のない成長を記録
政策の推進力と戦略的投資
「50%ルール」という新たな義務
技術的進歩と課題
リソグラフィを超えて：AIとメモリ
世界的な影響と地政学的緊張
経済・産業上の考察
人材とイノベーション
今後の道のり
ポイント

例えば、AMECの5ナノメートル級エッチング装置は、台湾積体電路製造公司（TSMC）の先端プロセスラインでの検証に入っており、中国の装置メーカーの能力が高まっていることを示している。一方、ノーラの酸化・拡散炉は、中国最大のファウンドリーである中芯国際集成電路製造（SMIC）の28nm生産ラインで60%以上を占めるようになった。さらに、ピオテックは長江記憶科技（YMTC）の3D NAND生産ラインにおけるプラズマ増強化学気相成長装置のシェアを15%から30%に倍増させた。

政策の推進力と戦略的投資

国内製造装置の導入が急増したのは偶然ではなく、意図的な政策措置と大規模な投資の結果である。中国政府は、米国の輸出規制が強化される中、半導体の自給自足を国家戦略上の最重要課題として位置づけてきた。これらの規制はトランプ政権下で始まり、バイデン政権下でも続けられており、中国が先端技術にアクセスすることを制限することを目的としている。これに対抗して、中国は独立した半導体サプライチェーンの構築に力を注いでいる。

この取り組みの中心にあるのが、中国集積回路産業投資基金、通称「ビッグファンド」だ。2014年に発足した同基金は、複数の段階で数百億ドルを拠出し、国内のチップ製造、設計、材料を支援してきた。ビッグファンドの第3期だけでも3440億元（470億ドル）が投じられ、これは最初の2回の合計を上回る規模だ。この資金支援により、SMIC、YMTC、ノーラなどの企業は事業を拡大し、研究開発に投資できるようになった。

資金投資に加え、中国は「双循環戦略」などの政策も実施した。これは国内消費とイノベーションを重視しつつ、世界市場とは選択的に関わりを強める考え方だ。「全国体制」はさらに、政府、学術界、産業界の資源を動員し、重要技術の突破を目指す。こうした枠組みは、海外サプライヤーへの依存を減らし、国家安全保障を確保するという幅広い戦略の一環である。

「50%ルール」という新たな義務

自給自足への取り組みを大幅に強化する動きとして、中国は地元チップメーカーに対し、新工場の建設や既存工場の拡張時に、国内製造装置を少なくとも50%使用することを求める「50%ルール」を導入したと報じられている。関係者によれば、この規則は厳格に施行されており、基準を満たさない申請は通常却下される。例外は、適切な国産装置がまだ存在しない先端生産ラインに限られる。

以前は、SMICなどの国内ファウンドリーは米国製装置を好み、中国企業に機会をほとんど与えなかった。しかし、2024年の輸出規制によって状況は変わり、国内サプライヤーと協力する以外に選択肢がなくなった。

この義務は、半導体サプライチェーンから海外への依存をなくす中国の決意を示している。この政策により国内製造装置の導入はすでに加速しており、ノーラのエッチング装置はSMICの最先端7nm生産ラインで試験されるなどしている。

技術的進歩と課題

中国は一部の分野で大きな進展を遂げたが、他の分野では課題が残っている。同国は、レジスト剥離、洗浄、エッチング、化学機械平坦化（CMP）などの工程で高い自給率を達成した。一方で、計測、塗布・現像、リソグラフィ、イオン注入などの重要分野では依然として遅れをとっており、特に日本、オランダ、台湾の海外技術が不可欠となっている。

最も大きな障害の一つが、先端リソグラフィ装置を入手できないことだ。オランダのASMLは、最先端チップの製造に不可欠な極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置の唯一のサプライヤーである。輸出規制により、ASMLはこれらの装置を中国に販売することができず、中国企業は技術革新や代替手段の模索を余儀なくされている。報道によれば、ASMLの元従業員が中国に戻り、国内のEUV能力開発に向けたリバースエンジニアリングを支援している。

リソグラフィを超えて：AIとメモリ

中国の自給自足への努力は、従来型の半導体製造にとどまらない。同国は、次世代コンピューティングに不可欠な人工知能（AI）チップと高帯域メモリ（HBM）でも進展を見せている。ファーウェイやアリババなどの企業がAIアクセラレーターの技術的突破を発表し、ファーウェイは昇騰チップの3年間のロードマップと、CANNプラットフォームをオープンソース化する計画を明らかにした。

メモリ分野では、YMTCがNANDフラッシュ技術の主要企業として台頭し、長鑫存儲技術（CXMT）はDRAMで進展を遂げている。これらの進歩は、サムスンやSKハイニックスなどの海外メモリ大手への依存を減らすうえで重要だ。しかし、先端HBMに対する米国の輸出規制は課題となっており、中国企業は現在、ハイエンドAIアクセラレーターに不可欠なHBM2Eを生産する能力を欠いている。

世界的な影響と地政学的緊張

中国の半導体自給自足への取り組みは、世界の技術環境に大きな影響を与える可能性がある。中国が海外製装置への依存を減らすにつれ、半導体サプライチェーンの力学が変わり、市場が二分される可能性もある。従来、先端装置を中国に供給してきた日本、オランダ、韓国などの国々は、市場シェアが低下する可能性がある。

さらに、米中間の技術戦争は激化しており、双方が輸出規制と報復措置を講じている。米国は、ファーウェイやSMICなど、中国の自給自足体制の結節点を厳格な制限で標的にしてきた。これに対し中国は、ガリウム、ゲルマニウム、黒鉛などの重要鉱物に対する管理を活用し、米国とその同盟国に圧力をかけている。

米国は、中国の先端ノードチップ生産能力を損ない、米国とパートナー諸国が中国との差を広げる時間を稼ぐことができると賭けている。

このエスカレーションは、技術分野における国際協力の将来に疑問を投げかける。中国は成熟ノードや一部工程での自給達成に進展を見せているが、最先端技術での完全な自律性は依然として実現していない。国家安全保障への懸念と経済的相互依存の間の関係が、今後も半導体産業の進路を形づくっていくだろう。

経済・産業上の考察

中国の産業政策、特に「中国製造2025」（MIC25）は、大規模な産業部門の構築を大きく前進させた。しかし、こうした政策は生産能力の過剰や経済の非効率性といった意図しない結果ももたらした。地方政府は重複するプロジェクトに巨額を投資し、浪費と財政負担を招いた。

こうした課題にもかかわらず、中国の半導体産業は目覚ましい成長を示してきた。2023年、同産業の収益は1795億ドルに達し、2023年から2027年にかけて年平均成長率7.31%が見込まれている。中国は現在、世界のチップ生産の16%を占め、世界第3位となっている。この成長は、国家支援に加え、AI、電気自動車、クラウドコンピューティングなどの国内産業からの需要増加によって支えられている。

人材とイノベーション

技術は人によって推進されるという認識に基づき、中国はトップ人材の採用と定着を促す取り組みを実施してきた。「千人計画」や「高端外国専門家計画」などのプログラムは、海外の中国人や国際的な専門家が中国に戻る、あるいは中国で働くよう動機づけることで、人材流出に歯止めをかけることを目指している。また、国内のSTEM教育を優先し、独自のイノベーション能力を育成している。

こうした努力は成果を出し始めている。中国の研究者らは、AIを活用したチップ設計プラットフォーム「啓蒙」や、世界初の非二進AIチップの量産化などの技術的突破を発表した。こうしたイノベーションは、西洋のモデルを超えて独自の技術的道筋を築く中国の能力を示している。

今後の道のり

展望すると、中国の半導体産業は、成熟ノードでの部分的な自給と世界市場との戦略的統合を両立させるハイブリッド型モデルへと発展する可能性が高い。完全な技術的自律は長期的な目標として残るが、進歩のペースを考えると、中国は重要分野で世界のリーダーとの差を縮め続けるだろう。

しかし、同産業は人材不足、外部からの抵抗、先端技術の複雑さなど、いくつかの課題に直面している。中国の自給自足への取り組みが成功するかどうかは、イノベーションと経済的な実現性を維持しながら、こうした障害を乗り越えられるかどうかにかかっている。世界の他の国々にとって、中国の進歩は、協力、競争、あるいはその両方を通じた戦略的な調整を必要とするだろう。