中国製EUV光源の試作機、上海で初公開　量産までなお3～5年

光源の試作機が一般公開

上海のスタートアップ、朗道随研（Langdao Suiyan）は、第26回中国国際工業博覧会で極端紫外線（EUV）光源の試作機を展示し、部品の90％が中国製だと説明した。一方、量産開始までにはなお3～5年かかるとの見通しを示した。2026年10月付の報道で紹介されたこの展示は、微細な回路パターンの露光に使う光を生成する装置という、中国の先端半導体製造への取り組みの一端を一般に公開するものとなった。

展示されたのは、リソグラフィー装置の主要部品であるEUV光源だ。装置全体には、精密光学系、シリコンウエハーの位置を調整するステージ、真空システム、各部を連携させる制御系も必要となる。朗道の工程表は光源の開発に関するもので、担当者は今後の主な課題として出力の向上と長時間にわたる安定稼働を挙げた。

同社の代表者は、試作機をチップの露光試験に使用できると説明した。同社の製品仕様によると、低出力のFlintNanoシステムはEUV出力が15ワットを超え、100時間を超える連続稼働が可能だという。公開された試作機について、独立機関による試験結果や詳しい露光結果は公表されておらず、実際のチップ製造試験でどの程度の性能を発揮するかは不明だ。

中国の半導体メーカーは、輸出規制によりオランダのASMLからEUVリソグラフィー装置を購入できないため、この開発には意義がある。国産光源が将来的に代替サプライチェーンを支える可能性がある。現時点で上海の展示が示したのは、最も難度の高い部品の一つに取り組む新興企業の姿だ。自社の見積もりでも、実用化までにはなお数年の開発が必要とされている。

上海では何が展示されたのか

朗道の試作機は、博覧会のイノベーション技術館に設けられた上海の展示エリアで、比較的目立たない場所に置かれていた。粗削りな外観が注目を集めた一方、スタッフは正式な報道機関の取材を断った。展示に関する他の報道では、国産部品の割合や量産までの見通しなど、同社代表者による技術説明が記録されている。

朗道によると、同社は上海技術革新センターの招待で出展した。スタッフは、中国のチームがEUV光の生成に取り組んでいることを示し、時間のかかる開発過程を見守ってほしいと呼びかける機会だと説明した。

リソグラフィーは、光に反応する膜を塗布したシリコンウエハーにパターンを露光する技術だ。その後の製造工程で、パターンが電子回路の一部に形成される。EUV光の波長は約13.5ナノメートルで、対応する装置を使えば極めて微細なパターンを描ける。ただし、光を生成するのは出発点にすぎない。装置は光を正確に導き、安定した露光を実現しなければならない。

公表された仕様

詳しい仕様が示されているのは、朗道の低出力システムFlintNano LPP-OXXOだ。同社はFlintNanoシリーズを製品開発・商用化段階にあると位置付ける一方、高出力のFlintMicro-LPPシリーズは原理検証と実現可能性の検討を終えたとしている。

朗道による仕様は以下の通り。

• 定格出力1,000ワットの駆動レーザー。繰り返し周波数は1～20キロヘルツ。
• 変換効率は2％超、EUV出力は15ワット超。
• 連続稼働時間は100時間超。
• プラズマの大きさは60マイクロメートル。
• プラズマ安定性は3％以内（RMS）、エネルギー出力の安定性は5％。

ワットは電力、つまりエネルギーが供給される速さを表す。レーザーの定格出力1,000ワットは駆動レーザーが供給する電力を示し、EUV出力の数値はシステムが生成する有用な光を示す。これは工程の異なる段階を表す値だ。キロヘルツは繰り返し周波数の単位で、1キロヘルツは1秒間に1,000回のサイクルを意味する。

RMSによる安定性の指標は、測定期間中の変動をまとめて示す。半導体メーカーにとって実務上の関心は、各露光で十分に一定量の光が得られるかどうかだ。変動は、ウエハー上の膜に回路パターンをどれだけ正確に形成できるかに影響する。

光の生成方法

朗道が採用するのは、一般にLPPと略されるレーザー生成プラズマ方式だ。この方式では、高出力レーザーを微小なスズの液滴に照射し、極めて高温のプラズマを生み出してEUV光を放射させる。プラズマとは、原子から電子の一部が失われた状態の物質を指す。集光ミラーが放射された光の一部を集め、露光システムへ導く。

ASMLの商用EUV装置もLPP光源を採用している。難しいのは、この工程を正確に繰り返し、十分な量の有用な光を集め、プラズマの影響から精密機器を保護することだ。スズ液滴を安定して供給する機構、高出力の駆動レーザー、耐久性のある集光ミラーが連携して動作しなければならない。

朗道の事業全体も、こうしたニーズを反映している。同社はEUV光源に加え、高出力二酸化炭素レーザーやプラズマシミュレーションソフトの開発も手掛ける。レーザーは駆動装置として使われ、シミュレーションソフトは技術者がプラズマの挙動を調べ、動作条件を調整するのに役立つ。

中国の研究開発では、レーザー誘起放電プラズマや加速器を利用した光生成など、別の方式も検討されている。これらの計画にはそれぞれ異なる開発日程がある。朗道が公表した光源の量産までの見通しは、現時点で3～5年だ。

出力向上と長寿命が重要な理由

商用EUVシステムには、数百ワット級の光源出力と、高負荷の製造工程で安定稼働する能力が求められる。朗道が公表した15ワット超という出力は、同社の低出力システムが別の動作領域にあることを示している。工場での使用に向けては、装置の安定性を保ちながら、有用な光の出力を高める必要がある。

利用できる光が増えれば、リソグラフィーシステムによるウエハーの露光を速められる。これは工場が処理できるウエハーの枚数や、露光1回当たりのコストに影響する。信頼性も同様に重要だ。装置が停止すれば生産が遅れ、高出力光源の価値も損なわれかねない。

集光ミラーは高エネルギーのプラズマの近くで動作するため、特に難しい部品だ。スズ液滴の発生器も、適切な場所に適切なタイミングで液滴を送り続けなければならない。どちらかの工程にわずかな変化があっても、ウエハーに届く光に影響する可能性がある。

朗道が示した100時間超の稼働時間は、4日を超える長さに相当する。工場の顧客には、保守の間隔、部品交換、繰り返し稼働した場合の性能についての情報も必要となる。スタッフは、残る開発課題として出力と安定性を直接挙げた。

国産部品90％が意味すること

同社代表者によると、試作機の部品の90％は国産化されており、主要部品の大半は社内で開発した。一方、一部の輸入部品の調達が難しく、中国製の代替品は特定の分野でなお安定性に課題があるとも説明した。

朗道は、部品の数、価格、その他のどの基準で90％という割合を算出したのか明らかにしていない。読者にとって重要なのは、どの部品が置き換えにくく、それがシステム全体の信頼性にどう影響するかだ。部品の割合が小さくても、連続稼働に欠かせない装置が含まれている可能性がある。

スタッフは、残る輸入部品を明らかにすることを避けた。説明からは、課題が一社の組み立て作業だけでなく、サプライヤー網全体に及ぶことがうかがえる。国産部品の性能を高めるには、品質が一貫し、信頼できる寿命を備えた製品を供給できる必要がある。

中国のウエハー工場にとって、国産光源が成熟すれば、装置や交換部品への規制の影響を将来的に軽減できる可能性がある。現在の課題は、国産設計の部品を長期間にわたって予測可能な形で連携動作させることだ。

半導体業界の投資家が支援する新興企業

朗道は2024年に設立された。創業者の王浩氏とチームは、清華大学ガス放電・プラズマ研究室の研究を基盤に、EUVリソグラフィー光源向けのLPP技術に取り組んでいる。

同社は複数回の資金調達を経て開発を進めてきた。資金調達に関する報道で名前が挙がった投資家には、臥硯資本（Woyan Capital）や、中芯国際（SMIC）とのつながりがある中国集成電路産業投資基金（China Fortune-Tech Capital）が含まれる。中芯国際は中国を代表する半導体受託製造企業だ。こうした支援により、同社は半導体装置や製造に詳しい投資家とつながっている。

報道された設立から資金調達、一般公開までの経緯は次の通り。

• 2024年：朗道を設立し、EUV光源プロジェクトを開始。
• 2025年10月：張江ハイテクに関連する随悦創投（Suiyue Ventures）がエンジェル投資を実施。
• 2026年1月：追加のエンジェル資金調達を完了。
• 2026年7月：シリーズAの資金調達を完了。
• 2026年10月：上海の工業博覧会で光源の試作機を一般公開。

資金調達によって、同社は装置、人材採用、さらなる開発に必要な資源を得られる。朗道が公表した日程では、試作機の公開後も開発に数年を見込んでいる。試作機への資金投入と、再現性のある工業製品の供給との間には隔たりがあることを示している。

輸出規制が国産開発を促す

完成品のEUVリソグラフィーシステムを商業供給しているのはASMLだけだ。規制により中国への販売が認められていないため、国産の代替品開発は中国メーカーにとって戦略上の優先課題となっている。ASMLは2013年にサイマー（Cymer）を買収して光源技術を強化した。現在の装置につながる長期的な産業開発の一環だった。

中国の半導体メーカーは、引き続き深紫外線（DUV）装置を生産に使用している。DUVはEUVより波長が長い。複雑な回路パターンを複数の工程に分けるマルチパターニングを使えば、DUV装置で製造できる範囲を広げられる。ただし、工程の増加により製造は複雑になり、コストも上昇する。

ASMLの最高経営責任者（CEO）、クリストフ・フーケ氏は、中国が同社の技術に追いつくまでの速さに懐疑的な見方を示している。投資家向け説明会で、中国に残された道のりについて次のように述べた。

まだ、非常に長い道のりがある

朗道が示した3～5年という見通しは、同社のプロジェクトに関するより具体的な目安だ。報道された2026年10月の公開時点から数えると、開発が想定通りに進めば、おおむね2029～2031年となる。これは光源の開発日程であり、リソグラフィー装置全体の実現には、ほかの主要システムも互換性のある性能水準に達する必要がある。

他分野の進展から見るEUV開発

中国のサプライヤーは、リソグラフィー以外の製造工程でも事業を拡大している。同じ時期に深圳で開かれた半導体展示会では、華海清科（Hwatsing）がイオン注入装置を展示し、芯源微（Leadmicro）は薄膜形成装置を披露した。拓荊科技（Piotech）は、メモリーやロジック半導体向けの炭素膜成膜技術を発表した。

ウエハー工場は多種多様な装置に依存しているため、こうした進展には意義がある。イオン注入は、シリコンの一部領域の電気的特性を変える。成膜は材料の薄い層を加える。リソグラフィーは、その後の工程を導くパターンを形成する。EUVの開発が続くなか、各工程で進展があれば、国産装置の採用を増やせる。

バーンスタイン・リサーチは、中国のウエハー製造装置市場に占める国産サプライヤーの割合が、2026年の推定28％から2028年には52％に上昇すると予測した。24ポイントの上昇に当たる。この予測の対象はEUVリソグラフィーよりはるかに広い装置市場だ。

朗道の次の重要な進展としては、公表した開発期間を通じ、出力の向上、安定稼働の継続、露光性能が注目される。中国のネットユーザーからは、展示の広報が資金調達や愛国的な熱気を目的としたものではないかとの疑問も出ている。詳細な稼働結果を公表すれば、顧客や投資家に製品の進捗をより具体的に伝えられるだろう。

要点

• 朗道随研は上海でEUV光源の試作機を展示し、同社スタッフは部品の90％が国産だと説明した。
• 展示されたのは光源で、EUVリソグラフィー装置全体に必要な主要システムの一つだ。
• 公表されたFlintNanoの仕様には、EUV出力15ワット超、稼働時間100時間超が含まれる。
• スタッフは量産までさらに3～5年かかると見積もり、出力と信頼性を主な開発課題に挙げた。
• 同社は2024年に設立され、中国の半導体業界とつながりのある投資家から支援を受けている。
• ASMLのEUV装置に対する輸出規制が、中国で国産装置の開発を進める要因となっている。